ترانزیستور BJT
Ic = 30 mA le = 6 mA. Pror W. (1.27). VCER V. (V CEO V). (140) 5. 250 5. 160. BF 117. BF 118. BF119 SI-NPN VCRO V. 140. 250. 160. 2. VEBO V icma. 1 00. 100 5
ترانزیستور BJT
Ic = 30 mA le = 6 mA. Pror W. (1.27). VCER V. (V CEO V). (140) 5. 250 5. 160. BF 117 BF 118 BF119 VCRO V. 140. 250. 160. 2. VEBO V icma. 1 00. 100 5. SI-NPN
ترانزیستور BJT
GE-P PNP transistors for high-gain audio amplifier and switching applications. style=2.67 mW
ترانزیستور BJT
wideband amplifier offering high dynamic range. It has repeatable perfor- mance from lot to lot. It is enclosed in a Micro-X package MAR1
ترانزیستور BJT
( DC - 1GHz ) monolithic amplifier 50ohm, micro x, Gain= MAR4 8dB, NF=6.0dB, OP=+12.5dBm
ترانزیستور BJT
ASY27 GER-P PNP Transistor, 15V, 200mA, TO-5 VHF ترانزیستور ژرمانیوم
ترانزیستور BJT
Silicon Plastic Power Transistors. ... The Power 7A 70 V Bipolar NPN
ترانزیستورUJT
MJ11033 ترانزیستور قدرت جریان بالای سیلیکونی BJT نوع PNP مکمل دار با تحمل جریان کلکتور 50 آمپر و ولتاژ 120 ولت COD004-1554
ماسفت MOSFET
MOSFET N-CH 3.6A 600V 75W 1.8 OHM ماسفت منفی 3.6آمپر 600ولت 75وات 1.8اهم COD102-114

BCY88